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GB1409介電常數測試儀

型 號GDAT-A

更新時間2020-07-22

廠商性質生產廠家

報價

產品描述:GB1409介電常數測試儀電介質在外電場作用下,其內部會有發熱現象,這說明有部分電能已轉化為熱能耗散掉,電介質在電場作用下,在單位時間內因發熱而消耗的能量稱為電介質的損耗功率,或簡稱介質損耗(diclectric loss)。介質損耗是應用于交流電場中電介質的重要品質指標之一。介質損耗不但消耗了電能,而且使元件發熱影響其正常工作。如果介電損耗較大,甚至會引起介質的過熱而絕緣破壞。

產品概述

GB1409介電常數測試儀高頻Q表能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質損耗,高頻回路有效并聯及串聯電阻,傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關、學校、工廠等單位。

LKI-1電感組:

線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  

  9         100KHz      98       9.4           25mH

  8         400KHz     138       11.4        4.87mH

  7         400KHz    202       16           0.99mH

  6           1MHz     196       13          252μH

  5           2MHz     198       8.7        49.8μH

  4         4.5MHz    231       7             10μH

  3          12MHz      193     6.9         2.49μH

  2          12MHz      229     6.4        0.508μH            

  1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH

技術參數:

1.Q值測量

a.Q值測量范圍:2~1023。

b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

c.標稱誤差

     頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):

     固有誤差:≤5%±滿度值的2% 固有誤差:≤6%±滿度值的2%

     工作誤差:≤7%±滿度值的2% 工作誤差:≤8%±滿度值的2%

2.電感測量范圍:4.5nH~7.9mH

3.電容測量:1~205

     主電容調節范圍:18~220pF

     準確度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%

     注:大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明

4.  信號源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,

     CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,

5.Q合格指示預置功能:      預置范圍:5~1000。

6.B-測試儀正常工作條件

a.  環境溫度:0℃~+40℃;

b.相對濕度:<80%;

c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

7.其他

a.消耗功率:約25W;

b.凈重:約7kg;

c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。

GB1409介電常數測試儀電介質的用途

 電介質一般被用在兩個不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐,并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質

溫度

損耗指數在一個頻率下可以出現一個 大值,這個頻率值與電介質材料的溫度有關。介質損耗因數和電容率的溫度系數可以是正的或負的,這取決于在測量溫度下的介質損耗指數 大值位置。

電場強度

存在界面極化時,自由離子的數目隨電場強度增大而增加,其損耗指數 大值的大小和位置也隨此而變。

 在較高的頻率下,只要電介質中不出現局部放電,電容率和介質損耗因數與電場強度無關.

陶瓷材料的損耗

陶瓷材料的介質損耗主要來源于電導損耗、松弛質點的極化損耗和結構損耗。此外,表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導也會引起較大的損耗。

在結構緊密的陶瓷中,介質損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能,往往在配方中引人此易熔物質(如黏土),形成玻璃相,這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大,介質損耗也增大。因面一般高頻瓷,如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數電陶瓷的離子松弛極化損耗較大,主要的原因是:主晶相結構松散,生成了缺固濟體、多品型轉變等。

漏導損耗

實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質,在外電場的作用下,總有一些帶電粒子會發生移動而引起微弱的電流,這種微小電流稱為漏導電流,漏導電流流經介質時使介質發熱而損耗了電能。這種因電導而引起的介質損耗稱為“漏導損耗”。由于實阿的電介質總存在一些缺陷,或多或少存在一些帶電粒子或空位,因此介質不論在直流電場或交變電場作用下都會發生漏導損耗。

介質損耗:絕緣材料在電場作用下,由于介質電導和介質極化的滯后效應,在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失,簡稱介損。在交變電場作用下,電介質內流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數角Φ)的余角δ稱為介質損耗角。

損耗因子也指耗損正切,是交流電被轉化為熱能的介電損耗(耗散的能量)的量度,一般情況下都期望耗損因子低些好 。

電介質在恒定電場作用下,介質損耗的功率為

  W=U2/R=(Ed)2S/ρd=σE2Sd

定義單位體積的介質損耗為介質損耗率為

ω=σE2

在交變電場作用下,電位移D與電場強度E均變為復數矢量,此時介電常數也變成復數,其虛部就表示了電介質中能量損耗的大小。

D,E,J之間的相位關系圖

D,E,J之間的相位關系圖

如圖所示,從電路觀點來看,電介質中的電流密度為

J=dD/dt=d(εE)/dt=Jτ+iJe

式中Jτ與E同相位。稱為有功電流密度,導致能量損耗;Je,相比較E超前90°,稱為無功電流密度。

定義

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中,δ稱為損耗角,tanδ稱為損耗角正切值。

損耗角正切表示為獲得給定的存儲電荷要消耗的能量的大小,是電介質作為絕緣材料使用時的重要評價參數。為了減少介質損耗,希望材料具有較小的介電常數和更小的損耗角正切。損耗因素的倒數Q=(tanδ)-1在高頻絕緣應用條件下稱為電介質的品質因素,希望它的值要高。

主要特點:

空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。

印電路板主要由玻纖與環氧樹脂組成的, 玻纖介電常數為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。

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